[发明专利]双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法无效
申请号: | 02159145.8 | 申请日: | 2002-12-30 |
公开(公告)号: | CN1512598A | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
发明(设计)人: | 刘汉英 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人: | 崔继民 |
地址: | 300381天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明属于太阳电池技术领域。双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法,包括以下工艺过程:(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95%以上的浓硫酸2-6秒退膜,然后,用去离子水冲洗6-8遍;(2)再浸入体积比HF∶H2O=1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜,退膜时间为3-10秒,然后,用去离子水冲洗6-8遍;(3)电池脱水干燥。本发明既能完全将氧化钛/氧化钇双层减反射膜退除干净,又不影响电池的重新镀膜使用,而且工艺操作简单、易控制、成本低,产品质量稳定。本发明尤其适用于充氧原因造成的不合格氧化钛/氧化钇膜电池退膜。 | ||
搜索关键词: | 双层 减反射膜 氧化 氧化钇 方法 | ||
【主权项】:
1.双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法,将双层减反射膜浸入酸后,再用水清洗,其特征在于退膜方法包括以下工艺过程:(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入硫酸中退膜,然后,用去离子水冲洗;(2)再浸入体积比HF∶H2O=1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜,退膜时间为3-10秒,然后,用去离子水冲洗;(3)电池脱水干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的