[发明专利]双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法无效

专利信息
申请号: 02159145.8 申请日: 2002-12-30
公开(公告)号: CN1512598A 公开(公告)日: 2004-07-14
发明(设计)人: 刘汉英 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 代理人: 崔继民
地址: 300381天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于太阳电池技术领域。双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法,包括以下工艺过程:(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入浓度为95%以上的浓硫酸2-6秒退膜,然后,用去离子水冲洗6-8遍;(2)再浸入体积比HF∶H2O=1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜,退膜时间为3-10秒,然后,用去离子水冲洗6-8遍;(3)电池脱水干燥。本发明既能完全将氧化钛/氧化钇双层减反射膜退除干净,又不影响电池的重新镀膜使用,而且工艺操作简单、易控制、成本低,产品质量稳定。本发明尤其适用于充氧原因造成的不合格氧化钛/氧化钇膜电池退膜。
搜索关键词: 双层 减反射膜 氧化 氧化钇 方法
【主权项】:
1.双层减反射膜氧化钛/氧化钇退膜方法,将双层减反射膜浸入酸后,再用水清洗,其特征在于退膜方法包括以下工艺过程:(1)将有双层减反射膜氧化钛/氧化钇的电池浸入硫酸中退膜,然后,用去离子水冲洗;(2)再浸入体积比HF∶H2O=1∶4-1∶10的氢氟酸中退膜,退膜时间为3-10秒,然后,用去离子水冲洗;(3)电池脱水干燥。
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