[发明专利]半导体热电偶型微波功率传感器无效
| 申请号： | 02159357.4 | 申请日： | 2002-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1510425A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 崔大付;者文明;陈德勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01R21/04 | 分类号： | G01R21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体热电偶型微波功率传感器，包括：硅衬底(26)；在该硅衬底中选择性扩散N+硅而形成的N+硅低阻通道(30)；在所述硅衬底上制备的绝缘保护层(25)；设置在该绝缘保护层上的微波吸收电阻(24)以及第一金属电极(21)、第二金属电极(22)和第三金属电极引线(23)；在所述第一、第二和第三金属电极引线之间分别开有穿通所述硅衬底和所述绝缘保护层的沟槽(29)，形成隔离的桥形微波吸收通路和热偶通路。能提高传感器灵敏度，减小失配误差，改善驻波比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 热电偶 微波 功率 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体热电偶型微波功率传感器，包括：硅衬底(26)；在该硅衬底中选择性扩散N+硅而形成的N+硅低阻通道(30)；在所述硅衬底上制备的绝缘保护层(25)；设置在该绝缘保护层上的微波吸收电阻(24)以及第一金属电极(21)、第二金属电极(22)和第三金属电极引线(23)；所述微波吸收电阻(24)的一端与所述第一金属电极引线相连接，另一端与所述第二金属电极引线相连接，形成微波吸收通路；所述N+硅低阻通道的一端通过冷结点(28)与所述第三金属电极引线相连接，另一端通过热结点(27)，再经微波吸收电阻(24)的一部分与所述第二金属电极相连，形成热偶通路；其特征在于：在所述第一、第二和第三金属电极引线之间分别开有穿通所述硅衬底和所述绝缘保护层的沟槽(29)，使所述微波吸收通路和所述热偶通路成为隔离的桥形通道。
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