[发明专利]存储器的制造方法有效
| 申请号： | 02159569.0 | 申请日： | 2002-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1510739A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 林经祥;涂瑞能 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器的制造方法，此方法提供一基底，且于此基底上形成有栅氧化层与字符线，接着，以不使用等离子源的化学气相沉积法，在基底上形成衬氧化层以覆盖基底与字符线，然后，再于衬氧化层上形成介电层，其中衬氧化层与介电层是于同一个反应室中连续形成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：提供一基底，且于该基底上至少形成有一字符线；以一不使用等离子源的化学气相沉积法，在该基底上形成一衬氧化层以覆盖该基底与该字符线；以及在该衬氧化层上形成一介电层，其中该衬氧化层与该介电层是于同一个反应室中连续形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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