[发明专利]多位闪存及其制造方法

摘要

一种多位闪存，此多位闪存是由控制栅极、栅间介电层、浮置栅极、穿隧氧化层、源极区与漏极区以及信道区所构成。其中，在浮置栅极中设置有隔离区，且隔离区使浮置栅极分离成复数个导电区块，而形成导电区块数组，此导电区块数组从源极区至漏极区的方向为列的方向，每一列都具有两个导电区块。此多位闪存在未写入资料的状态下，同一列的导电区块下方的信道区具有相同启始电压，不同列的导电区块下方的信道区则具有不同的启始电压。

主权项

1、一种多位闪存，其特征在于：该多位闪存包括：一基底；一控制栅极，该控制栅极设置于该基底上；一浮置栅极，该浮置栅极设置于该控制栅极与该基底之间；一栅间介电层，该栅间介电层设置于该控制栅极与该浮置栅极之间；一穿隧氧化层，该穿隧氧化层设置于该浮置栅极与该基底之间；一源极区与一漏极区，该源极区与该漏极区设置于该浮置栅极两侧的该基底中；一隔离区，该隔离区设置于该浮置栅极中，且该隔离区使该浮置栅极分离成复数个导电区块，而形成一导电区块数组，该导电区块数组从该源极区至该漏极区的方向为列的方向，每一列包括两个导电区块，每一行则包括n个(n为正整数)导电区块；以及一信道区，该信道区设置于该浮置栅极下方及该源极区与该漏极区之间的该基底中，该多位闪存在未写入资料的状态下，同一列的该些导电区块下方的该信道区具有相同启始电压，不同列的该些导电区块下方的该信道区则具有不同的启始电压。