[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 02159818.5 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1428861A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 金子智;大古田敏幸;名野隆夫 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L29/78;G05F1/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅基板50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅基板50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型单晶半导体基板、在该单晶半导体基板上成长的第二导电型的外延半导体层、在该外延半导体层内形成的第一导电型阱区域、在所述第一导电型阱区域的底部相接的第一导电型埋入层、与该第一导电型埋入层局部重叠而形成并将所述第一导电型阱区域自所述单晶半导体基板电分离的第二导电型埋入层、在所述第一导电型阱区域内形成的MOS晶体管。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
