[发明专利]偏转装置无效

专利信息
申请号: 02159836.3 申请日: 2002-12-27
公开(公告)号: CN1467780A 公开(公告)日: 2004-01-14
发明(设计)人: 林昶周;金在丁;崔焕硕 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01J29/76 分类号: H01J29/76
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;谷惠敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明披露了一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置,该偏转装置包括:线圈隔离器,安装在CRT上;水平偏转线圈,安装在线圈隔离器的内侧,具有:用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场并且具有第一部分半径的第一部分以及用于产生减弱该水平偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径的第二部分;垂直偏转线圈,安装在线圈隔离器的外侧,产生用于在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场;以及铁氧体磁心,覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。由于第二部分的磁场被减弱,所以电子束轰击颈部(BSN)距离被改善,并且改善了偏转敏感性。
搜索关键词: 偏转 装置
【主权项】:
1.一种安装在阴极射线管(CRT)的后部用于偏转CRT的电子枪射出的电子束的偏转装置,该偏转装置包括:线圈隔离器,安装在CRT上;水平偏转线圈,安装在线圈隔离器的内侧,具有:第一部分,用于产生在水平方向偏转电子束的水平偏转磁场并且具有第一部分半径;第二部分,用于产生减弱该水平偏转磁场的无用磁场并且具有不同于第一部分半径的第二部分半径;垂直偏转线圈,安装在线圈隔离器的外侧,产生用于在垂直方向偏转电子束的垂直偏转磁场;以及铁氧体磁心,覆盖部分垂直偏转线圈以增强水平偏转磁场和垂直偏转磁场。
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