[发明专利]闪存的结构及其操作方法无效
| 申请号： | 02160087.2 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1512590A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 洪至伟;宋达;许正源 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L27/105;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种闪存的结构，此闪存元件的结构是由P型基底、设置于P型基底中的深N型井区、设置于深N型井区中的P型井区、设置于P型基底上的一对栅极结构、设置于该对栅极结构之间的选择栅极与设置于一对栅极结构两侧的P型井区中的N型源极/漏极区。由于每两个相邻两栅极结构共享一个选择栅极，因此可以增加元件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 结构 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存元件的结构，其特征是，该闪存元件的结构包括：一第一导电型基底；一第二导电型第一井区，该第二导电型第一井区设置于该基底中；一第一导电型第二井区，该第一导电型第二井区设置于该第二导电型第一井区中；一对栅极结构，该对栅极结构设置于该第一导电型基底上；一选择栅极，该选择栅极设置于该对栅极结构之间；以及一对第一导电型源极/漏极区，该对第一导电型源极/漏极区分别设置于该对栅极结构两侧的该第一导电型第二井区中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司，未经力晶半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02160087.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
