[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器及其制造方法，此方法首先在一基底上形成一长条状的堆栈层，其中长条状的堆栈层是由一栅介电层、一导电层以及一顶盖层所构成。接着在长条状的堆栈层两侧的基底中形成一埋入式位线。之后图案化长条状的堆栈层，以形成数个块状堆栈层。然后在基底上形成一介电层，且介电层暴露出块状堆栈层的顶盖层。继之，移除部分块状堆栈层的顶盖层，而使部分块状堆栈层的导电层暴露出来。然后在介电层上形成一字符线，以使相同一列的块状堆栈层串接起来。

主权项

1.一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基底上形成一长条状的堆栈层，其中该长条状的堆栈层是由一栅介电层、一导电层以及一顶盖层所构成；在该长条状的堆栈层两侧的该基底中形成一埋入式位线；图案化该长条状的堆栈层，以形成多个块状堆栈层；在该基底上形成一介电层，该介电层暴露出该些块状堆栈层的该顶盖层；移除部分该些块状堆栈层的该顶盖层，而使部分该些块状堆栈层的该导电层暴露出来；以及在该介电层上形成一字符线，以使相同一列的该些块状堆栈层串接起来。