[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02160239.5 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1421969A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 藤吉干;上村裕规 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;G11B7/125 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本发明的半导体激光装置中，一P型扩散区3A被设置在硅底衬16的N外延层2上，一N型扩散区4A被设置在P型扩散区3A上。P型扩散区3A和N型扩散区4A位于红光激光二极管14之下，且红光激光二极管14在没有绝缘膜的条件下通过电极7，8直接与N型扩散区4A连接。这样，可以防止红光激光二极管14和硅底衬16之间的短路。因此，根据这种半导体激光装置，可以防止在高温操作时半导体发光元件发生损坏或故障。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，包括一第一导电类型(N)的半导体底衬(16)，和被管芯焊接在该半导体底衬(16)上的在半导体底衬(16)侧极性彼此不同的第一和第二半导体激光元件(14，15)，其中半导体底衬(16)包括一个第二导电类型(P)的第一扩散区(3A)和一个形成在第一扩散区(3A)上的第一导电类型(N)第二扩散区(4A)，以使之位于第一半导体激光元件(14)下，和第一半导体激光元件(14)通过一电极(7，8)与第二扩散区(4A)连接。
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