[发明专利]自组成纳米级界面结构及其应用无效
| 申请号： | 02160282.4 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1514487A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 卢荣宏;张怀禄;陈烔雄;黄依苹;廖圣茹;周裕福;潘浩然 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自组成纳米级界面结构，是利用在反应式溅镀成膜过程中，反应物彼此间的化学动力学差异，引发自组成(Self－Organiztion)而形成特殊的纳米级界面结构，此纳米级界面结构在其界面上自然生成界面电位差异，使得在某特定电位变化范围下具有整流效果，故具有二极管的特性。这种自组成纳米级界面结构可应用于二极管、晶体管、发光元件、声波元件的制造上，具有可选用的材料种类广泛、具有加工兼容性高、操控容易和制造成本低等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 组成 纳米 界面 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种自组成纳米级界面结构，其特征在于，包含：一电极层，主含量为金属元素；一界面层，相邻于该电极层，包含金属、成分A与成分B，其中该金属的含量随着远离该电极层而呈斜坡状渐次下降，该成分A的含量随着远离该电极层而呈钟型分布，该成分B的含量随着远离该电极层而呈斜坡状渐次上升；及一延展层，相邻于该界面层的另一侧，包含所述金属、前述成分A与所述成分B，其中所述金属与所述成分A含量低，所述成分B含量高。
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