[发明专利]半导体器件上的标志的识别方法有效
| 申请号： | 02160411.8 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1463032A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 渡部光久;熊谷欣一;高岛晃 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光，用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像，而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 标志 识别 方法 | ||
【主权项】：
1.一种标志识别方法，用于对形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志进行图案识别，其中包括：把硅基片的厚度设置为5微米至50微米；把具有等于800nm或更短的波长的白光或可见光照射到基片的电路图案形成表面上；由在所述硅基片的背面侧上的可见光摄像机接收透过所述硅基片的可见光；以及识别形成在所述硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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