[发明专利]离子照射装置无效
| 申请号： | 02160457.6 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1430257A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木雄一朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01J37/317;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子照射装置。其所具有的特征是离子束线具有始端和终端，并且在始端和终端之间至少配置1个离子束无损型束电流测定装置，又，所具有的特征是始端是离子源，终端是设置了半导体晶圆的处理室，在半导体晶圆的前段上配置离子束无损型束电流测定装置。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 照射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种离子照射装置，其特征在于：离子束线具有始端和终端并且在所述始端和所述终端之间至少配置1个离子束无损型束电流测定装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02160457.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锡焊方法及焊接结构体
- 下一篇：用来控制发动机的设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
