[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 02160477.0 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1452222A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 户塚正裕;奥友希;服部亮 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底1上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体5先接触催化剂6，然后供给到衬底上。成膜装置20中设有反应室10。反应室10的内部有保持衬底的衬底座2，以及催化剂6。反应室10的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐11～13。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管15，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部4。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底1上形成氮化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用硅烷气体与氨气以催化剂CVD法在衬底上形成氮化硅膜的半导体装置的制造方法；其特征在于：使在所述硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体先接触催化剂，然后供给到所述衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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