[发明专利]改良型掩膜式只读存储器工艺与元件

摘要

本发明提供掩膜式只读存储器集成电路元件的一种制造方法，可降低源极区和通道区之间，会造成程序误读的击穿效应。本方法包括实施一植入工艺在半导体基底上形成井区，并透过第一个图案化光罩形成多个掩埋式植入区。该第一个图案化光罩是在该半导体基底上方形成。每个掩埋式植入区均包括个别记忆胞区域的一个源极区和一个漏极区。记忆胞区域属于多个记忆胞区域之一。本方法并在每个记忆胞区域的通道区内的掩埋式植入区附近形成口袋区。第一口袋区定义为介于通道区与源极区之间，而第二口袋区则定义为介于通道区与漏极区之间。本方法包括利用植入法为部分选定的通道区编写程序，以完成部分选定的记忆胞区域的程序化。

主权项

1、一种制造掩膜式只读存储器集成电路元件的方法，可降低源极区与通道区之间会造成程序误读的击穿效应，包含下列步骤：实施一植入工艺在半导体基底上形成井区；藉由第一个图案化光罩形成多个掩埋式植入区；第一个图案化光罩形成于半导体基底上方，而包含一个源极区和一个漏极区在内的掩埋式植入区则形成于个别记忆胞区域的通道区间；共有多个记忆胞区域；在每个记忆胞区域的通道区内的掩埋式植入区附近形成口袋区，其中包括第一口袋区定义为介于通道区和源极区之间，以及第二口袋区定义为介于每个记忆胞区域的通道区和漏极区之间；及实施植入法为部分通道区编写程序，以完成部分记忆胞区域的程序化。