[发明专利]双极集成电路中硅材料质量的检测方法无效
| 申请号： | 02160537.8 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1514475A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍荣生 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 潘帼萍 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特点是包括以下步骤：步骤一，建立具有N埋层的NPN管结构，用以测试工艺证实模型PVM中NPN管的发射极到集电极的击穿电压BV ceo，以判断集成电路中NPN管质量；步骤二，建立具有N型埋层的二极管结构，即有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量N型外延的质量；步骤三，建立没有N型埋层的二极管结构，即没有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量没有N型埋层的NPN管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除N型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 材料 质量 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极集成电路中硅材料质量的检测方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，建立具有N埋层的NPN管结构，用以测试工艺证实模型中NPN管的发射极到集电极的击穿电压，以判断集成电路中NPN管质量；步骤二，建立具有N型埋层的二极管结构，即有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量N型外延的质量；步骤三，建立没有N型埋层的二极管结构，即没有N型埋层的NPN管集电结结构，用以测量没有N型埋层的NPN管的基极到集电极的击穿电压，以便进一步判断该击穿电压的质量是否和硅材料质量相关；经过步骤二和步骤三的检测，通过排除集成电路制造的质量问题，即排除N型外延和基区的问题，从而找到因原单晶片质量问题即一次缺陷引起漏电超规范。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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