[发明专利]集成电路埋层和深磷的制造方法无效
| 申请号： | 02160554.8 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1514484A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍荣生 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 潘帼萍 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路埋层和深磷的制造方法，其特点是包括以下步骤：1.选择单晶材料；2.硅片表面形成抛光片和二氧化硅；3.在二氧化硅表面涂光刻胶；4.通过光刻、显影去掉其中部分光刻胶和腐蚀掉对应的二氧化硅，注入锑元素至硅片中形成N型埋层；5.去掉光刻胶和二氧化硅，在硅片表面生长N型外延；6.在N型外延上生长二氧化硅后通过光刻、腐蚀、P型硼离子注入和高温扩散形成隔离断面；7.通过光刻、刻蚀技术限定对有源器件NPN管基区的硼离子注入和硼高温扩散形成限定断面；再经同样的光刻，刻蚀技术限定磷离子注入和扩散形成再限定断面，即NPN管发射区和N型外延的欧姆接触。由此提高电路集成度和器件合格率且节约注入工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路埋层和深磷的制造方法，其特征在于包括以下步骤：第一，选择半导体单晶材料；第二，在硅片上表面形成抛光片和二氧化硅；第三，在二氧化硅表面涂上光刻胶；第四，通过光刻、显影去掉其中部分光刻胶和腐蚀掉对应的二氧化硅，注入锑元素至硅片中，形成N型埋层；第五，去掉光刻胶和二氧化硅，在硅片上表面生长N型外延；第六，在N型外延上生长二氧化硅后通过光刻、腐蚀、P型硼离子注入和高温扩散形成隔离断面；第七，通过光刻、刻蚀技术限定对有源器件NPN管基区的硼离子注入和硼高温扩散，形成限定断面；再经同样的光刻，刻蚀技术限定磷离子注入和扩散形成再限定断面，即NPN管发射区和N型外延的欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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