[发明专利]用于掩膜植入编码ROM的生根的双层编码光罩有效
| 申请号： | 02160578.5 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1512543A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 黄河 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/8246;G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于掩膜植入编码ROM的生根的双层编码光罩，其是在基板上，由多条多晶硅－金属字元线及位元线所构成的，而位元线和多晶硅－金属字元线是正交的，且位元线为埋入P－掺杂Si内的N－掺杂区域的带状物，其特征在于：第一光阻层被形成而覆盖于多晶硅－字元线上，且经由毯覆式曝光的实施，以使第一光阻层生根而嵌于多晶硅字元线沟槽的表面上；以及第二光阻层被形成，且经由粘着处理的实施而粘着于第一光阻层，并以编码掩膜来实施码－图案化曝光及显影，以使孤立的码柱状物被本征或自然地粘着于第一生根的光阻层，藉此，孤立的码柱状物被牢固地锁定在嵌于字元线沟槽表面上的第一生根的光阻层上，因此，得以避免码光罩柱状物的塌陷、剥落及漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 植入 编码 rom 生根 双层 | ||
【主权项】：
1、一种用于掩膜植入编码ROM的生根的双层编码光罩，其是在基板上，由一系列的多晶硅-金属字元线及位元线所构成的，而这些位元线和这些多晶硅-金属字元线是正交的，且这些位元线为埋入P-掺杂Si内的N-掺杂区域的带状物，其特征在于：第一光阻层被形成而覆盖于多晶硅-字元线上，且经由毯覆式曝光的实施，以使该第一光阻层生根而嵌于多晶硅字元线沟槽的表面上；以及第二光阻层被形成，且经由粘着处理的实施而粘着于该第一光阻层，并以编码掩膜来实施码-图案化曝光及显影，以使孤立的码柱状物被本征或自然地粘着于第一生根的光阻层，藉此，这些孤立的码柱状物被牢固地锁定在嵌于字元线沟槽表面上的第一生根的光阻层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
