[发明专利]磁控管溅镀装置和方法无效
| 申请号： | 02160604.8 | 申请日： | 2002-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1500908A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 瑟吉·Y·纳瓦拉;马东俊;金泰完 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁控管溅镀装置和方法。在所述磁控管溅镀装置中，真空室包括一个放电气体入口和一个放电气体出口。真空室中设有基板支撑器。磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和固装于靶电极背部的磁控管，磁路单元与基板支撑器相对设置，并且绕着基板支撑器的中心轴旋转。驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。因此，可以提高薄膜的均匀度和阶梯覆盖度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管溅镀 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁控管溅镀装置，包括：真空室，所述真空室中形成有放电气体入口和放电气体出口；设置在所述真空室内部的基板支撑器；磁路单元，所述磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和安装在靶电极背部的磁控管，其特征在于，磁路单元面对基板支撑器并且绕着基板支撑器的中心轴旋转；以及驱动单元，所述驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。
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