[发明专利]检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法无效
| 申请号： | 02160702.8 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1424779A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 焦正;吴明红;顾建中;俎建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 王正 |
| 地址： | 20007*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好金电极和氧化钌电阻加热层的石英衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解法是将石英衬底置于管式炉内，利用超声振荡器使反应液雾化，由氮气作为载气，将雾化的反应液带入管式炉内，雾化的反应液由喷嘴喷向石英衬底；反应液的制备方法为：首先将反析纯的金属铟溶解在1mol/l的硝酸中，形成硝酸铟溶液，再加入四氯化锡，加入量控制在Sn∶In＝5∶100摩尔比，将配好的溶液用去离子水稀释至0.1mol/l，，即为反应液。本发明的传感器气敏元件能对二氧化氮气体在0.1ppm至5ppm浓度范围内均有良好的传感性。该传感器工艺简单、灵敏度较高，并且使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 二氧化氮 半导体 传感器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测二氧化氮的半导体传感器气敏元件的制造方法，其特征在于，采用超声喷雾热解法在已加工好的金电极和氧化钌电阻加热层的氧化铝衬底上制备铟锡氧化物薄膜，而制成的二氧化氮气体传感器气敏元件；超声喷雾热解法是将石英衬底置于管式炉内，利用超声振荡器使反应液雾化，由氮气作为载气，将雾化的反应液带入管式炉内，管式炉内的温度为250-350℃，载气流速为7-9升/分，雾化的反应液由喷嘴喷向石英衬底；反应液的制备方法为：首先将分析纯的金属铟溶解在1mol/l的硝酸中，形成硝酸铟溶液，再加入四氯化锡，加入量控制在Sn∶In＝5∶100摩尔比，将配好的溶液用去离子水稀释至0.1mol/l，，即为反应液。
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