[发明专利]阴极射线管无效
| 申请号： | 02160801.6 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1457078A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李锡文 | 申请（专利权）人： | LG.飞利浦显示器(韩国)株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/76 | 分类号： | H01J29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒,袁炳泽 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有能够明显减少泄漏磁场的偏转轭的阴极射线管。在该偏转轭中，铁氧体磁心靠近屏幕侧之末端直径是水平偏转线圈靠近屏幕侧之末端直径的50％到85％，水平偏转线圈靠近屏幕侧的末端和铁氧体磁芯靠近屏幕侧的末端之间的间隔是管轴方向上水平偏转线圈长度的27％到50％。因此，该阴极射线管可以克服普通消磁线圈的问题，且即使在高偏转角时也能够减少泄漏磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极射线管 | ||
【主权项】：
1.一种阴极射线管，其包括：具有荧光屏的面板、连接到面板后表面的玻壳、从玻壳后部发射电子束的电子枪、用于在水平和垂直方向偏转电子枪所发出的电子束的水平偏转线圈和垂直偏转线圈，以及包含铁氧体磁芯的偏转轭，所述铁氧体磁芯通过减少水平偏转线圈和垂直偏转线圈所产生的水平和垂直偏转磁场的磁力损失而提高磁效率，其中，在偏转轭中，铁氧体磁芯靠近屏幕侧之末端的直径是水平偏转线圈靠近屏幕侧之末端的直径的50％到85％。
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