[发明专利]具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管及制法和应用无效
| 申请号： | 02160815.6 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1512540A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;胡平安;肖恺;王贤保;付磊;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C01B31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管，沿管轴方向的一半由碳元素组成，另一半为氮化碳纳米管；碳纳米管部分为直的空心管状结构，掺杂氮部分具有竹节状结构；其直径为10～100纳米，长度为5～400微米；其电学性能为非线性整流效应。制备方法为，加热炉内通入氢气或者氨气，金属酞菁放在500～600℃的区域分解，生长温度800～1200℃，氢气或者氨气气氛下，恒温1～20分钟后，改变反应气氛，通入另一种气体氨气或者氢气，恒温1～60分钟后，停止加热，继续通氢气致冷；氢气流量大于0毫升－500毫升/分钟；氨气为0～500毫升/分钟。该纳米管可用作构造纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 氮化 制法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种具有纳米结的碳纳米管/氮化碳纳米管，沿管轴方向的一半由碳元素组成，另一半为碳化氮纳米管；碳纳米管部分为直的空心管状结构，掺杂氮部分具有竹节状结构；其直径为10～100纳米，长度为5～400微米；其电学性能为非线性整流效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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