[发明专利]静电泄放保护电路无效
| 申请号： | 02160864.4 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1438706A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 麻殖生健二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于保护集成电路(IC)免受静电毁坏的静电泄放保护电路，该电路从能够处理高频率和承受低电压的CMOS材料中形成。此静电泄放保护电路含有NMOS晶体管，该NMOS晶体管是指向相反方向的二极管连接的晶体管，并联在地线和一条连接IC的输入端和一个包含在放大器中的NMOS晶体管的栅极的线之间。此静电泄放保护电路对冲击电压具有高的抵抗力，而不会引起包括噪声和信号损失的高频特性变坏。采用此新的静电泄放保护电路，不需要明显增加IC的尺寸，由于需要更少的制造步骤来生产，该静电保护电路也具有好的成本效果。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电泄放保护电路，包括：一条连接集成电路的压焊块和内部放大器的输入端的线；和具有多个二极管的第一和第二二极管连接，它们被平行连接在所述线和地线之间。
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