[发明专利]具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02160870.9 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1430289A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 奥村秀树;小林仁;土谷政信;大泽明彦;斋藤涉;山口正一;大村一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/74;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括一层形成于第一导电类型的半导体层内的扩散区。该扩散区包括分别为第一和第二导电类型的第一和第二杂质扩散区。该扩散区所具有的第一和第二区由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的部分中。第一或第二区在半导体层的平面方向内杂质浓度的周期小于用于组成第一或第二区的第一和第二杂质扩散区在半导体层的平面方向内的最大宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纵向 金属 绝缘 半导体 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个第一导电类型的半导体层；及一个形成于半导体层内的扩散区，该扩散区包括第一导电类型的第一杂质扩散区和第二导电类型的第二杂质扩散区，该扩散区具有分别由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的一个部分中，且从包括第一和第二区的一个组中选出的区域的杂质浓度沿半导体层的平面方向的周期小于构成该选定区域的第一和第二杂质扩散区沿半导体层的平面方向的最大宽度。
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