[发明专利]检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器和方法及系统无效
| 申请号： | 02161135.1 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1479361A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 姜熙福 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种低压检测器及检测非易失性存储器芯片低压的方法，低压时存储器单元不工作，并且根据电源电压的变化，通过使FeRAM单元的开始和停止的操作点与芯片启动信号同步，可以明确识别激励电压区和去激励电压区，使芯片在阈值电压范围内安全操作。按照这种方法，因为即使在电源电压的阈值电压值区，如电源电压的开/关状态时，芯片也能够安全运行，因此芯片即使在电源电压处于开/关状态下，仍然可以受到保护，而且这种芯片电路设计区域不需要附加电路就能实现高效。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 低压 随机存取存储器 检测器 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于非易失性FeRAM芯片的低压检测器，其特征在于，在电源电压到达使FeRAM单元进行开始操作的阈值之前，不管芯片激励信号的变化如何，通过利用外部复位信号使芯片内部控制信号固定在低电平，其中，该低电平的芯片内部控制信号导致强制禁用存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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