[实用新型]氧化锌薄膜生长用金属有机化合物汽相淀积设备无效

专利信息
申请号: 02202744.0 申请日: 2002-01-30
公开(公告)号: CN2529876Y 公开(公告)日: 2003-01-08
发明(设计)人: 杜国同;杨树人 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C16/505
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 王恩远,张景林
地址: 130023 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 实用新型涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的金属有机化合物汽相淀积设备,由气体输运、反应室、控制、尾气处理等系统构成。反应室由带有抽气孔(8)的底座法兰盘(1)、反应室侧壁(2)、旋转轴(3)、磁流体轴承(4)、电机(5)、上法兰盘(6)、不锈钢丝网(7)、加热片(9)、衬底片托盘(10),杂质源气路(11),副气路(12)(13)、混气室(14)、锌源喷枪(15)、氧源喷枪(16)、匀气套(17)、射频等离子发生器(18)等部件构成,可以抑制Zn(C2H5)2(或[Zn(CH3)2])与O2反应生长成ZnO颗粒,提高ZnO薄膜生长质量及均匀性,有利于p型或高阻掺杂等优点。
搜索关键词: 氧化锌 薄膜 生长 金属 有机化合物 汽相淀积 设备
【主权项】:
1、一种氧化锌薄膜生长用金属有机化合物汽相淀积设备,由气体输运系统、反应室、控制系统、尾气处理系统等部分构成,其反应室由带有抽气孔(8)的底座法兰盘(1)、反应室侧壁(2)、旋转轴(3)、磁流体轴承(4)、电机(5)、上法兰盘(6)、不锈钢丝网(7)、加热片(9)、衬底片托盘(10)、气路(11)、副气路(12)(13)、混气室(14)等部件构成,特征在于:气路(11)做为通杂质源的杂质源气路,在混气室(14)中杂质源气路(11)的下面添加一个射频等离子发生器(18),在反应室的侧壁两侧分别插入锌源喷枪(15)和氧源喷枪(16)。
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