[实用新型]真空微电子压力传感器无效
| 申请号： | 02204492.2 | 申请日： | 2002-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN2537008Y | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 温志渝;温中泉;张正元 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01L21/30 | 分类号： | G01L21/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种真空微电子压力传感器，该传感器由带过载保护环的硅微场致发射极锥尖阵列、真空微腔、绝缘层、阳极弹性膜构成，硅微场致发射极锥尖阵列中的每个锥尖均被金刚石薄膜覆盖。本实用新型具有过载自保护功能、温度稳定性好、灵敏度高、响应速度快、抗辐射、工作电压低、功耗小、体积小、性能稳定等显著优点，是一种高性能价格比的新型压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 微电子 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种真空微电子压力传感器，其特征在于该压力传感器由带过载保护环(3)的硅微场致发射阴极锥尖阵列(1)、真空微腔(4)、绝缘层(5)、阳极弹性膜(6)、引出电极(7)、绝缘保护膜(8)、金属膜(9)一体化三维集成。
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