[实用新型]内存芯片堆栈构造

摘要

本实用新型内存芯片堆栈构造，包括有一基板，其上设有一镂空槽；一下层内存芯片，其中央位置设有复数个焊垫，是设置于该基板上，而该复数个焊垫由该基板的镂空槽露出，并藉由复数条导线电连接该焊垫至基板的下表面；一上层内存芯片，其中央位置设有复数个焊垫，其系背对背地设置于该下层内存芯片上，使该复数个焊垫朝上；及一绝缘介质，其形成一透空区，其设置于该上层内存芯片上时，该内存芯片的复数个焊垫由该绝缘介质的透空区露出，且该绝缘介质上形成有复数条线路，并藉由复数条导线电连接至该上层内存芯片的焊垫及该基板的上表面。如是，可降低该复数条导线的长度及弧度，使其得到较佳的讯号传递效果及降低其封装体积。

主权项

1、一种内存芯片堆栈构造，其特征在于包括有：一基板，其设有一上表面、一下表面及由上表面贯通至下表面的镂空槽；一下层内存芯片，其中央位置设有复数个焊垫，其系设置于该基板的上表面，而该复数个焊垫由该基板的镂空槽露出，并藉由复数条导线电连接该焊垫至基板的下表面；一上层内存芯片，其中央位置设有复数个焊垫，其系背对背地设置于该下层内存芯片上，使该复数个焊垫朝上；及一绝缘介质，其中央位置形成一透空区，使其设置于该上层内存芯片上时，该内存芯片的复数个焊垫由该绝缘介质的透空区露出，且该绝缘介质上形成有复数条线路，该复数条线路藉由复数条导线电连接至该上层内存芯片的焊垫及该基板的上表面。