[实用新型]均流环结构晶体管

摘要

本实用新型涉及一种电子元器件，尤其是指一种带有均流环结构的晶体管。其主要技术方案是在基区的表面层内设置发射区，在基区的表面设置金属层，本实用新型的特征是在基区的表面层内设置位于金属层四周的均流环。所述均流环为封闭的环状结构，或半封闭的环状结构。所述基区位于两层集电区之上。在基区与发射区的表面可设置钝化层，金属层位于钝化层的表面，金属层的中部穿过钝化层上的引线孔后与基区接触。本实用新型具有更高的二次击穿耐量，其抗烧性能明显增强。

主权项

1、均流环结构晶体管，在基区(3)的表面层内设置发射区(4)，在基区(3)的表面设置金属层(7)，其特征是在基区(3)的表面层内设置环绕金属层(7)的均流环(6)。