[实用新型]降低电路压降的集成电路无效
| 申请号： | 02230794.X | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN2565153Y | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于IC中的电源总线即：降低电路压降的集成电路，其组成当做格状(Grid)，而且其由使用形成于如数据I/O焊垫(Pad)及多重(Multi－Level)电压I/O焊垫的I/O焊垫上的狭长带(Strip)所组成。所公开的IC包括电源供应I/O焊垫及数据I/O焊垫，其由沉积导体(DepositedConductor)所组成。电源供应I/O焊垫连接至电源总线，而数据I/O焊垫连接至电路。所形成的狭长带沉积导体紧邻于数据I/O焊垫，其中狭长带连接至电源总线。集成电路内会发展成并联路径，以散布电路内的电源。关于多重电压I/O焊垫所采用的是相似的方法。电源总线用来降低压降，并且使送到集成电路内的核心逻辑有较佳的电源供应。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 电路 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种降低电路压降的集成电路，其特征在于：包括：一第一型式的一I/O焊垫，由沉积导体组成，其中该第一型式的该I/O焊垫连接至该集成电路上的一第一点；一狭长带沉积导体，紧邻于该第一型式的该I/O焊垫，其中该狭长带沉积导体连接至该集成电路上的一第二点。
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