[实用新型]发光二极管晶片的串联结构无效
| 申请号： | 02233777.6 | 申请日： | 2002-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN2550905Y | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林明德 | 申请（专利权）人： | 光鼎电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L25/13;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管以二维矩阵的方式配置复数个于基板上；且该复数个发光二极管的P型半导体层与N型半导体层以一导体电性连接，使该复数个发光二极管的P、N型半导体层呈一串联连接的状态，并于该未与导体电性连接的P、N型半导体层分别电性连接有导电部，该导电部可供连接外部电源使用；如此，可使发光二极管增加晶片尺寸(CHIPSIZE)时提高亮度以及提高操作电压，并以降低操作电流的方式提高单一发光二极管的亮度，进而改善外部供电设备与发光二极管的操作条件与其所附加的电器设备。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶片 串联 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管晶片的串联结构，该发光二极管晶片由一P型半导体层及一N型半导体层电性耦接于一基板上所构成，其特征在于：该基板上以二维矩阵的方式配置有复数个发光二极管；且该复数个发光二极管的P型半导体层与N型半导体层以一导体电性连接，使该复数个发光二极管的P、N型半导体层以串联的方式呈一导通的状态，并于该未与导体电性连接的P、N型半导体层分别电性连接有导电部，该导电部可供连接外部电源使用。
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