[实用新型]生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置无效
| 申请号： | 02235868.4 | 申请日： | 2002-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN2545219Y | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赖占平;高瑞良;齐德格;周春锋 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 天津市才智有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300220 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置，由高压容器、坩埚和坩埚托、拉晶杆、主加热器及与主加热器相连的主电极，主加热器的外周有保温结构，在保温结构顶部有辅助加热器，辅助加热器通过一对过渡电极与主电极并联，在辅助加热器的上方有保温罩，保温罩连接于过渡电极上，并用绝缘环将保温罩与辅助加热器及过渡电极隔离，过渡电极的下端还设有将保温结构与主电极及过渡电极隔离的绝缘片。本装置是对只有一对电极加热系统的高压单晶炉或常压单晶炉进行加热系统的双温区改造，设备总功率不变，改造设备成本低，简单易行。与现有的FEC装置相比，可随时观察掌握晶体成晶情况。热场系统明显优于常规的热场系统，更适于生长低位错砷化镓单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 低位 掺杂 绝缘 砷化镓单晶 装置 | ||
【主权项】：
1.一种生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置，包括高压容器(1)、高压容器(1)内设置的坩埚(10)和坩埚托(17)、拉晶杆(2)、围绕坩埚(10)和坩埚托(17)设置的主加热器(7)及与主加热器相连的主电极(12)、主加热器(7)的外周设有保温结构(9)，在装置的上部设有石英观查窗(18)，其特征在于在保温结构(9)的顶部还设有辅助加热器(4)，辅助加热器(4)是通过一对过渡电极(8)，与主电极(12)并联，在辅助加热器(4)的上方还设有保温罩(3)，保温罩(3)连接于过渡电极(8)上，并用绝缘环(5)将保温罩(3)与辅助加热器(4)及过渡电极(8)隔离，在过渡电极(8)的下端还设有将保温结构(9)与主电极(12)及过渡电极(8)隔离的绝缘片(11)。
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