[实用新型]非门电路结构无效
| 申请号： | 02236578.8 | 申请日： | 2002-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN2563842Y | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫,楼仙英 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种非门电路结构，其包含：一输入端，其接收一输入信号，该输入信号具有高低两个电平，其中低电平大于0伏特；一P沟道金属－氧化物晶体管，其栅极耦接至该输入端，而其源极耦接至一电压源；一第一N沟道金属－氧化物晶体管，其漏极耦接至该P沟道金属－氧化物晶体管的漏极以形成一输出端，而其源极耦接至接地点；以及一压降组件，耦接于该第一N沟道金属－氧化物晶体管的栅极与该输入端之间，其提供该输入端至该第一N沟道金属－氧化物晶体管的栅极间的一电压下降幅度，进而消除该第一N沟道金属－氧化物晶体管于该输入信号在低电平时所产生的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非门 电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种非门电路结构，其特征在于，包含：一输入端，其接收一输入信号，该输入信号具有高低两个电平，其中低电平大于0伏特；一P沟道金属_氧化物晶体管，其栅极耦接至该输入端，而其源极则耦接至一电压源；一第一N沟道金属_氧化物晶体管，其漏极耦接至该P沟道金属_氧化物晶体管的漏极以形成一输出端，而其源极耦接至接地点；以及一压降组件，耦接于该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极与该输入端之间，其提供该输入端至该第一N沟道金属_氧化物晶体管的栅极间的一电压下降幅度，进而消除该第一N沟道金属_氧化物晶体管于该输入信号在低电平时所产生的漏电流。
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