[实用新型]凸块底缓冲金属结构无效
| 申请号： | 02238724.2 | 申请日： | 2002-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN2550899Y | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宫振越;何昆耀 | 申请（专利权）人： | 盛威电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷,王初 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在芯片或基板的焊垫与焊料凸块之间，其中焊料凸块的主要成分为锡铅合金，此凸块底缓冲金属结构至少具有一金属层及一缓冲金属结构，此缓冲金属结构能够减轻或减缓金属层与焊料凸块结合时产生介金属化合物的电气、机械特性的负面效应。其中，金属层配置于芯片的焊垫上，其组成成分例如为铜、铝、镍、银或金等可与锡发生化学反应的金属，而缓冲金属结构则配置于金属层及焊料凸块之间，用以减少金属层及焊料凸块之间生成介金属化合物的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 凸块底 缓冲 金属结构 | ||
【主权项】：
1.一种凸块底缓冲金属结构，适用于配置在一芯片的一焊垫及一焊料凸块之间，其特征在于：该焊料凸块的主要成分为锡铅合金，该凸块底缓冲金属结构包括：一金属层，配置在该焊垫上；以及一缓冲金属结构，配置在该金属层及该焊料凸块之间，用以减少该金属层与该焊料凸块之间生成介金属化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛威电子股份有限公司，未经盛威电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02238724.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
