[实用新型]用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器无效
| 申请号： | 02244310.X | 申请日： | 2002-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN2567781Y | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器。该器件包括：以SOI为衬底，表面有一单晶硅层；在表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一个栅极，一根单壁碳纳米管设置在两个电极上形成欧姆接触，其中栅极处在源、漏两个电极的中间，碳纳米管的一侧；另一根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管设置在栅极和碳纳米管晶体管的源或漏极的电极上形成欧姆接触。该器件制备方法易于操做。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响；同时，器件每一个存储单元只具有两个电极引线，容易实现器件的高度集成和实现低功耗下信息的超高密度存储。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子 晶体管 设计 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器，包括：以SOI为衬底，表面有一单晶硅层；在表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一个栅极，一根单壁碳纳米管设置在两个电极上欧姆接触，其中栅极处在源、漏两个电极的中间，碳纳米管的一侧；其特征在于：还包括另一根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管，该碳纳米管设置在栅极和碳纳米管晶体管的源或漏极的电极上欧姆接触。
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