[实用新型]超导磁场屏蔽室无效
| 申请号： | 02246154.X | 申请日： | 2002-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN2569535Y | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及超导磁场屏蔽窒，该屏蔽室包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。本实用新型采用两步法制备MgB2超导屏蔽室，该法制备的屏蔽室质地均匀、致密，电、磁屏蔽性能强，而且工艺简单，生长迅速，原材料及设备成本低廉，容易生长大的MgB2超导屏蔽室，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 磁场 屏蔽 | ||
【主权项】：
1.一种超导磁场屏蔽室，包括：一空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管和顶盖；其特征在于：在所述的空心金属管或内壁镀有金属层的陶瓷管内壁有一均匀致密的MgB2膜，在该管端口盖有用MgB2制作的顶盖。
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