[实用新型]倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 02251094.X | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN2587096Y | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张景林,张凯军 |
| 地址： | 130023 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器，由下电极1，n－GaAs衬底2，多层1/4波长的n－AlxGa1－xAs/AlyGa1－yAs(x为0.05－0.2，y为0.5－1)异质薄膜下反射镜3，n－AlzGa1－zAs(z为0.3－0.5)下限制层4，GaAs有源层5，p－AlzGa1－zAs上限制层6，多层1/4波长p－AlxGa1－xAs/AlyGa1－yAs上反射镜7和上电极8，出光窗口9，离子注入高阻区10和非离子注入的电流导通区11构成。导通区11呈漏斗状，由两次钨丝垂直交叉掩膜四面倾斜离子注入形成。该激光器具有低阈值，高均匀性和成品率，低串联电阻等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 倾斜 离子 注入 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器，由下电极(1)，n-GaAs衬底(2)，多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2，y为0.5-1)异质薄膜下反射镜(3)，n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层(4)，GaAs有源层(5)，p-AlzGa1-zAs上限制层(6)，多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上反射镜(7)和上电极(8)，出光窗口(9)，可以隔离电流的离子注入高阻区(10)和非离子注入的电流导通区(11)构成，其特征在于：离子注入高阻区(10)下面的面积大、上面的面积小，呈倾斜状，即非离子注入的电流导通区(11)呈上面大、下面小的漏斗状。
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