[实用新型]有机/无机异质结光电探测器无效

专利信息
申请号: 02252447.9 申请日: 2002-08-28
公开(公告)号: CN2578985Y 公开(公告)日: 2003-10-08
发明(设计)人: 申请(专利权)人:
主分类号: H01L31/00 分类号: H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02
代理公司: 甘肃省专利服务中心 代理人: 田玉兰
地址: 730000 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于芯片(4)是以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料PTCDA层(7);PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。该光电探测器利用真空蒸发的方法形成有机/无机同型异质结复合层结构,在p-n结的形成原理和方法上明显创新,从而使工艺大大简化,不需要光刻及扩散,因此降低了生产成本,并提高了成品率,经测试:具有对光的带宽(450nm~1100nm)响应宽,量子效率高(光—电转换效率可达100%),适于大批量生产,且在低、高温使用环境稳定性及可靠性好等特点。
搜索关键词: 有机 无机 异质结 光电 探测器
【主权项】:
1、一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于:光电探测器的芯片(4)采取有机/无机同型异质结复合层结构,即以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7);有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);p-Si单晶基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。
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