[实用新型]有机/无机异质结光电探测器无效
申请号: | 02252447.9 | 申请日: | 2002-08-28 |
公开(公告)号: | CN2578985Y | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 申请(专利权)人: | ||
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L27/14;G01J1/02 |
代理公司: | 甘肃省专利服务中心 | 代理人: | 田玉兰 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于芯片(4)是以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料PTCDA层(7);PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。该光电探测器利用真空蒸发的方法形成有机/无机同型异质结复合层结构,在p-n结的形成原理和方法上明显创新,从而使工艺大大简化,不需要光刻及扩散,因此降低了生产成本,并提高了成品率,经测试:具有对光的带宽(450nm~1100nm)响应宽,量子效率高(光—电转换效率可达100%),适于大批量生产,且在低、高温使用环境稳定性及可靠性好等特点。 | ||
搜索关键词: | 有机 无机 异质结 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1、一种有机/无机异质结光电探测器,由陶瓷管座(1)、透明还氧树脂(2)、金属垫片(3)、芯片(4)及管脚(5)组成,其特征在于:光电探测器的芯片(4)采取有机/无机同型异质结复合层结构,即以无机半导体材料p-Si单晶为基底材料层(6),其表面为真空蒸发的有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7);有机半导体材料苝四甲酸二酐PTCDA层(7)的表面溅射有ITO膜(8);p-Si单晶基底材料层(6)的背面为真空蒸发的铝电极层(9)。
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