[实用新型]掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件无效
| 申请号： | 02257545.6 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN2574226Y | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有p－n结结构的掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极和引线；其特征在于：在衬底上至少有一个或一个以上p－n结结构，该p－n结结构有一p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸锶层与n型掺杂钛酸锶和p型掺杂镧锰氧层交替叠层外延生长在衬底上；电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线。本实用新型的巨磁阻器件是一种多p－n结结构的高灵敏度磁功能器件，即使在室温和低强度磁场下，也仍然具有很高的灵敏度，可广泛应用于磁探测、磁测量和磁控制。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 钛酸锶 镧锰氧巨 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂钛酸锶和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：衬底、电极和引线；其特征在于：在衬底上至少有一个或一个以上p-n结结构，该p-n结结构有一p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸锶层与n型掺杂钛酸锶和p型掺杂镧锰氧层交替叠层外延生长在衬底上；电极设置在最上面的外延层和衬底上，或设置在最上面的外延层和在衬底上的第一层外延层上，电极上连接引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于，未经许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02257545.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
