[实用新型]一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件无效
| 申请号： | 02257546.4 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN2570990Y | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件。它包括：衬底、电极和引线和至少设置1个p－n结结构，该p－n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。该器件是一种多p－n结结构的高灵敏度磁功能器件，即使在室温和低强度磁场下，也仍然具有很高的灵敏度，可广泛应用于磁探测、磁测量和磁控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钛酸钡 镧锰氧巨 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂钛酸钡和掺杂镧锰氧巨磁阻器件，包括：衬底、电极和引线；其特征在于：在衬底上还包括至少设置1个p-n结结构或1个以上p-n结结构，该p-n结结构由一层p型掺杂镧锰氧层与一层n型掺杂钛酸钡层，或一层n型掺杂钛酸钡层与p型掺杂镧锰氧层交替设置在衬底上组成；电极分别设置在最上面的p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层和衬底上/或设置在衬底上的第一层p型掺杂镧锰氧层或n型掺杂钛酸钡层上，电极上连接引线。
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