[实用新型]光化学气相沉积设备

摘要

本实用新型公开了一种光化学气相沉积设备，适用于半导体薄膜材料的外延生长，它主要由超高真空系统、反应气体气路系统、加热系统、紫外光能量辅助系统组成，是LP/CVD、UHV/CVD和UV/CVD设备的有机结合体。其主要特点是采用了三级真空泵组和三级真空室逐级过渡技术，使得反应室的背景真空度达到10－7Pa；反应室中的化学气相沉积生长过程处于小于200Pa的超低压状态，紫外光能量辅助系统使得化学气相沉积生长过程得以在低温下进行。因此本实用新型具有沉积速度快、材料生长杂质污染小、可获得无应力驰豫、高质量器件级外延层薄膜材料的优点。此外，本实用新型还具有灵活、多用途的特点，可以分别实现独立的LP/CVD、UHV/CVD和UV/CVD设备功能。

主权项

1.一种光化学气相沉积设备，包括含有至少两个真空室和三级真空泵组的超高真空系统、加热系统、反应气体气路系统，其中所述的真空室中有一个是反应室[1F]，所述的三级真空泵组由真空机械泵[3A]、真空分子泵[3B]及真空离子泵[3C]组成，所述的真空机械泵[3A]、真空分子泵[3B]、真空离子泵[3C]均通过管道传送装置与所述真空室相连；所述加热系统的加热器[2]安置在所述反应室[1F]内；所述反应气体气路系统包括至少两种反应气体源[5]、含有质量流量器[4L1～4L6]和流量微控台[4K]的气体流量测控装置、由管道和阀门构成的气体输送装置，所述反应气体源[5]中的反应气体通过气体输送装置传送到反应室[1F]，气体流量测控装置与气体输送装置连接，用以测量和控制向反应室[1F]输送的反应气体的流量；其特征在于：还包括一个含有紫外光源[9]和光窗[8]等的紫外光能量辅助系统，所述光窗密封安装在所述反应室[1F]的顶部，所述紫外光源[9]正对光窗[8]安装在反应室[1F]顶部外侧的本体上，紫外光源[9]发出的紫外光通过光窗[8]透射到该反应室[1F]内；所述气体流量测控装置与真空机械泵[3A]协同将反应室[1F]的工作压力维持在超低压状态。