[实用新型]一种肖特基二极管无效
| 申请号： | 02265178.0 | 申请日： | 2002-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN2562372Y | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型的肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的势垒金属和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm－3～1×1017cm－3。本实用新型采用了外延层厚度为亚微米的超薄硅外延片及合适的掺杂浓度，能有效降低器件的串联电阻和结电容，大幅度提高截止频率，试验表明，可使截止频率高达40GHz～80GHz，本实用新型的肖特基二极管拓宽了硅基器件在高频领域的应用，能广泛用于微波混频、检波及超高速开关电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.肖特基二极管，包括由重掺杂硅衬底(1)和硅外延层(3)构成的硅外延片，欧姆接触电极(2)，周边围有二氧化硅的势垒金属(4)和金属电极(5)，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3。
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