[实用新型]一种发光二极管无效
| 申请号： | 02266541.2 | 申请日： | 2002-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN2570989Y | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种发光二极管是以ZnO为基，在衬底上自下而上依次由第一电极层、p－MgxZn1－xO薄膜层、ZnO基层、n－MgxZn1－xO薄膜层、第二电极层沉积而成。本实用新型的发光二极管的优点是：1)器件制备工艺相对异质结器件较为简单；2)ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；3)利用Mg掺杂对禁带的调节作用，可以得到3.3～4.2ev的可调带隙，制得紫外光、紫光、绿光、蓝光等多种发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(6)上自下而上依次由第一电极层(1)、p-MgxZn1-xO薄膜层(2)、ZnO基层(3)、n-MgxZn1-xO薄膜层(4)、第二电极层(5)沉积而成。
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