[实用新型]一种半导体器件的发射区结构无效
| 申请号： | 02277055.0 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN2613888Y | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 衡阳科晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70 |
| 代理公司： | 衡阳市科航专利事务所 | 代理人： | 傅戈雁 |
| 地址： | 421007湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
一种半导体器件的发射区结构，是将现有的梳状结构分割成许多碎块，相邻碎块的间距S取决于发射区工艺扩散结深Xj且1.4Xj |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 发射 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的发射区结构，其特征是由许多碎块(1)构成的，相邻碎块(1)的间距S在1.4倍扩散结深Xj与1.6倍扩散结深Xj之间。
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