[实用新型]具有多量子阱结构的发光二极管无效
| 申请号： | 02289266.4 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN2596557Y | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;于洪波;周均铭;贾海强;韩英军;黄绮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种GaN基多量子阱蓝光发光二极管，该二极管的多量子阱结构包括：p型掺杂的AlGaN层；n型掺杂的AlGaN层；及在AlGaN层之间的由不掺杂的GaN层与不掺杂的InGaN层组成的N个量子阱；还包括在p型掺杂的AlGaN层与N个量子阱之间的不掺杂的GaN隔离层及在n型掺杂的AlGaN层与N个量子阱之间的不掺杂的GaN隔离层，通过合理调整GaN隔离层的厚度，可以有效地调整p－n结的位置，使之位于多量子阱区域，有效增强发光二极管的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多量 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种具有多量子阱结构的发光二极管，包括多量子阱结构；在所述多量子阱结构之上的p型掺杂的GaN层、透明电极及p型欧姆接触；在所述多量子阱结构之下的n型掺杂的GaN层、GaN缓冲层、n型欧姆接触及衬底；其特征在于：该多量子阱结构包含N个量子阱，该N个量子阱之上形成有不掺杂的第一GaN隔离层，在该N个量子阱之下形成有不掺杂的第二GaN隔离层，该两个GaN隔离层的厚度为大于0nm且小于500nm之间的任意值。
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