[实用新型]测试霍尔集成电路的磁场改良装置无效

专利信息
申请号: 02289277.X 申请日: 2002-11-22
公开(公告)号: CN2596368Y 公开(公告)日: 2003-12-31
发明(设计)人: 谢志鹏;黄志伟 申请(专利权)人: 易亨电子股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R31/327
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 陈红
地址: 台湾省新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种测试霍尔集成电路的磁场改良装置,其用以测试霍尔集成电路。此测试装置包括电压源,电阻以及产生磁场的空心线圈;其中电阻的电阻值是根据测试霍尔集成电路所需要的磁场的强度而改变,电阻的一端电性耦接至电压源,另一端则电性耦接至产生磁场的空心线圈,产生磁场的空心线圈根据电压源经过电阻所产生的电流以产生磁场,霍尔集成电路则置入磁场中以进行测试;本实用新型的磁场改良装置不但能轻易测出霍尔集成电路是否合乎标准,而且还可以将其分级,以适合各种不同磁场强度下的应用;此外,由于产生的磁场分布均匀,且残磁量小,故较不会有误测的状况发生。
搜索关键词: 测试 霍尔 集成电路 磁场 改良 装置
【主权项】:
1.一种测试霍尔集成电路的改进型磁场装置,安装于一集成电路测试设备上,用以测试一霍尔集成电路,其特征是:包括:一电压源;一电阻,可根据测试该霍尔集成电路所需要的磁场的强度更换;以及一个或一对空心线圈,其线径值在0.1至1.0ф之间;其中,该电阻的一端电性耦接至该电压源,另一端电性耦接至该个或该对空心线圈,该个或该对空心线圈则根据该电压源经过该电阻所产生的电流以产生一磁场,该霍尔集成电路则置入该磁场中以进行测试。
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