[实用新型]封装压合基板无效
| 申请号： | 02290150.7 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN2605664Y | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 何昆耀;宫振越 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 文琦;陈肖梅 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭露了一种封装压合基板。此基板压合制程首先分别形成压合层，接着再同时将其压合以形成基板，其中每一压合层均包含介层导电柱塞、电路图案及介电材料。此压合层的介层导电柱塞与电路图案可藉由蚀刻一包含一厚金属层、一薄阻障层与一薄金属层的结构而形成。亦可藉由沉积一金属层于一包含一薄阻障层与一薄金属层的结构并蚀刻薄金属层而形成。另外，也可藉由沉积一金属层于一包含一厚金属层与一薄阻障层的结构，并蚀刻厚金属层而形成。此外，还可藉由沉积两金属层于一薄阻障层的两面上而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 压合基板 | ||
【主权项】：
1.一种封装压合基板，该封装压合基板包含：复数压合层和一底层构成，其特征在于，每一该压合层具有复数第一介层柱塞、一电路与一第一介电材料，该复数压合层堆栈压合使得相邻两该压合层的该第一介层柱塞与该电路完成电性连接，而相邻两该压合层的该第一介电材料则结合；及该底层具有复数第二介层柱塞与一第二介电材料，该底层的该第二介层柱塞与该电路完成电性连接，而该第二介电材料与该第一介电材料结合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司，未经威盛电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02290150.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
