[实用新型]宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池

摘要

本实用新型的名称是宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池，涉及叠层电池结构的设计，属于太阳电池技术领域。一般的叠层电池或者光电转换效率低，或者工艺复杂，为此本实用新型在设计电池时，在第(1)个pin的N层与第2个pin电池的P层之间加一特殊增反射层，该增反射层只反射第1个pin电池吸收范围的光，透射第2个pin电池吸收范围的光，在第2个电池pin的N层与金属电极之间加另一个增反射层，负责反射第2个pin电池吸收范围的光，这样，可以提高电池的光电转换效率、减薄吸收层厚度，不容易发生光衰退，大大缩短制备时间，降低成本。

主权项

1.一种宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池，由两个硅基薄膜太阳电池叠加构成，其特征在于：第1个pin是宽带隙硅基薄膜电池(如非晶硅、钠米硅、炭化硅、氮化硅等)，第2个pin是窄带隙硅基薄膜电池(如微晶硅、多晶硅、微晶硅锗等)，第1个宽带隙硅基薄膜电池的pin结构沉积在透明导电衬底(3)上，在其N(7)层上沉积导电增反射层R1(11)，随即沉积第2个窄带隙硅基薄膜电池的pin结构，在其N层上沉积导电增反射层R2(12)，在R2层上沉积金属Ag和Al电极(8)(9)。