[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号： | 02800028.5 | 申请日： | 2002-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1455948A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 水川茂;中田胜利;松元俊二 | 申请（专利权）人： | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/02;F26B5/14;F26B15/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳,张英光 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一边以运送机构运送基板，一边依序对基板施以湿式及干式处理的基板处理装置。该基板处理装置具备：用来运送基板(W)的运送机构(1)；对被运送的基板(W)施以湿式处理的湿式处理部(WET)；配设于比湿式处理部(WET)更靠运送方向下流侧，使处理液形成膜状后供给至基板(W)上的膜液供给机构(4)；以及其开口部以与基板(W)的全面相对向的方式配置于膜液供给机构(4)的运送方向下流侧，由开口部喷出气体，产生板状气流的气体喷出机构。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：以大致水平方式来运送基板的运送机构；对以所述运送机构所运送的基板施以湿式处理的湿式处理部；配设于比所述湿式处理部更靠运送方向下流侧，使处理液形成膜状后供给至所述基板上的膜液供给机构；以及气体喷出机构，其具有狭缝状的开口部，该开口部是以与所述基板的全面相对向的方式配置于所述膜液供给机构的所述运送方向下流侧，由所述开口部喷出气体，产生板状的气流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友精密工业株式会社，未经住友精密工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02800028.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：分路电阻及其电阻值的调整方法
- 下一篇：溅射设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
