[发明专利]基片处理装置无效
| 申请号： | 02800045.5 | 申请日： | 2002-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1455947A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 粂川正行 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C25D7/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基片处理装置包括：电镀段(32)，其具有用于容纳电镀液的电镀池(44)；以及头部组件(42)，其用于夹持基片(W)并将基片(W)浸入电镀池(44)内的电镀液中。在电镀液中，电镀膜形成在基片(W)的表面上。基片处理装置还包括：清洗段(34)，其用于清洗电镀基片(W)的外周边缘和与基片(W)保持接触的基片接触部分(112)；以及驱动机构(170)，其用于将头部组件(42)在电镀段(32)与清洗段(34)之间移动。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基片的基片处理装置，包括：头部组件，其用于夹持基片；以及多个基片处理段，它们分别对上述头部组件夹持着的上述基片进行相应的处理；其特征在于，上述头部组件可以夹持着上述基片在上述基片处理段之间移动，而且对上述基片所作的上述相应处理依次发生在上述各个基片处理段中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
