[发明专利]di/dt控制的电源开关有效
| 申请号： | 02800153.2 | 申请日： | 2002-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1455957A | 公开（公告）日： | 2003-11-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·佩扎尼 | 申请（专利权）人： | ST微电子公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及配置于一块半导体芯片之上的一个垂直型电源开关，它包括位于所述芯片的至少一个表面的外周之上的一个绕组(30)，所述绕组包括两个接线柱(31，32)，它提供与在所述开关中的电流起伏成正比的信号。 | ||
| 搜索关键词： | di dt 控制 电源开关 | ||
【主权项】：
1.形成于一块半导体芯片之上的一个垂直配置的电源开关，其特征在于它包括形成于所述芯片的至少一个表面的外周之上的一个绕组(30)，所述绕组包括两个连接端子(31，32)，它提供与在所述开关中的电流变化率成正比的信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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